无机钙钛矿材料(ABX₃；A = Cs；B = Pb；X = Br, I)的热稳定性显著优于有机无机杂化钙钛矿材料，因此更适应实际工况。然而，在倒置结构的无机钙钛矿太阳能电池中，溶液法制备的无机钙钛矿薄膜晶界处和低温下制备的电子传输层中往往存在大量缺陷，这不仅会导致钙钛矿薄膜的相转变以及沿晶界的显著离子迁移，还会在电池工作过程中成为电荷复合中心，有损电池的性能和稳定性。

   近期，作者基于ITO/NiO_x/CsPbI₂Br/ZnO@C₆₀/Ag的倒置结构电池，采用宽带隙的2,2'-联嘧啶碘盐(BP-HI)修饰CsPbI₂Br/ZnO界面。表征结果表明BP-HI主要扩散至钙钛矿薄膜的晶界中，从而有效钝化了薄膜晶界处的缺陷、改善了钙钛矿薄膜的内建电场、抑制了沿晶界的离子迁移、从而改善了钙钛矿晶粒的导电性。此外，通过界面修饰，BP-HI同时扩散至ZnO层，从而有效钝化了ZnO的氧空位缺陷。因此，经BP-HI修饰的CsPbI₂Br/ZnO界面具有优良的电学接触，经过BP-HI处理的倒置结构全无机钙钛矿太阳能电池的效率最高达到15.36％，稳态功率输出达到15.05％，并在大气环境以及连续光照和最大功率点的条件下表现出优异的工作稳定性。

图文摘要

原文链接：//doi.org/10.1016/j.cej.2022.134760