新型薄膜材料是材料研究的重要分支，被广泛应用于现代生活中的各个领域。不同厚度的半导体薄膜对物性及器件性能有着重要影响，超薄的半导体薄膜具有高灵敏度、高载流子输运、带隙可调等优点，是成为未来微型化集成电路、高灵敏探测器件的重要基石。然而大面积生长厚度可控的高质量超薄薄膜仍有巨大的挑战，因为超薄薄膜在大面积生长过程中都面临着不连续、不致密、缺陷多等多种问题。如何找到一种精准控制大面积新型薄膜材料高质量生长的策略，是决定新型薄膜材料未来在高性能器件中应用的关键。

近日，苏州大学邹贵付教授团队提出了一种聚合物辅助准原子沉积的策略，实现了从原子层面上精准控制高质量氧化镍（NiO）薄膜的大面积生长。通过调控镍前驱体浓度和旋涂速率，精准生长40 nm到亚纳米级（0.92 nm）任意厚的NiO薄膜，并成功将其转移到柔性基底上，生长的柔性NiO薄膜有着良好的透光性和柔韧性。

生长的NiO薄膜有良好的结晶性，薄膜连续致密，并且表面光滑平整。高分辨透射电镜显示薄膜晶格清晰具有良好结晶度且无杂质相；研究发现亚纳米NiO薄膜具有很高的表面积/体积比，在亚纳米NiO薄膜中观察到157 emu/cc饱和磁化强度和418 Oe矫顽力的室温铁磁性行为。

在该工作中，邹教授团队提出了聚合物辅助准原子沉积的方法，实现了大面积生长高质量的磁性NiO超薄薄膜，并精准控制薄膜的生长厚度。该工作为解决精准生长大面积新型薄膜材料问题提供了一种新策略。 

文章链接：//onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202110185